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書誌情報:SiC/GaNパワー半導体の実装と信頼性評価技術
SiC/GaN パワー ハンドウタイ ノ ジッソウ ト シンライセイ ヒョウカ ギジュツ
菅沼克昭編著
東京 : 日刊工業新聞社 , 2014.12
247p ; 21cm
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所蔵一覧
巻号予約人数所在請求記号登録番号資料ID状態貸出区分備考 
1 0教員研究室
  • 549.8
  • Si1
  •  
103998120499068 利用可
図書(禁帯出) 
0太秦南館:展示コーナー
  • 549.8
  • Si1
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1039256808004021 利用可
図書（帯出可） 
0太秦南館:５階閲覧室
  • 549.8
  • Si1
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1039256908004022 利用可
図書（帯出可） 
0太秦南館:５階閲覧室
  • 549.8
  • Si1
  •  
1039257008004023 利用可
図書（帯出可） 
0太秦南館:５階閲覧室
  • 549.8
  • Si1
  •  
1039257108004024 利用可
図書(禁帯出) 
0太秦南館:５階閲覧室
  • 549.8
  • Si1
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1039257208004025 利用可
図書（帯出可） 
0太秦南館:５階閲覧室
  • 549.8
  • Si1
  •  
1039257308004026 利用可
図書（帯出可） 
0太秦南館:５階閲覧室
  • 549.8
  • Si1
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1039257408004027 利用可
図書（帯出可） 
0太秦南館:５階閲覧室
  • 549.8
  • Si1
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1039257508004028 貸出中
(長期貸出中)
図書（帯出可） 
0太秦南館:５階閲覧室
  • 549.8
  • Si1
  •  
1039257608004029 利用可
図書（帯出可） 
0太秦南館:５階閲覧室
  • 549.8
  • Si1
  •  
1039257708004030 利用可
図書（帯出可） 

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書誌詳細
刊年2014
形態247p ; 21cm
別書名power semiconductor devices
注記参考文献: 各章末
出版国日本
標題言語日本語
本文言語日本語
著者情報菅沼, 克昭 (スガヌマ, カツアキ)
分類NDC8:549.8
NDC9:549.8
ISBN9784526073397
件名BSH:半導体
BSH:パワーエレクトロニクス
BSH:信頼性(工学)
NCIDBB17632156
番号OTHN : TRC:15000684

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