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書誌情報:SiC/GaNパワー半導体の実装と信頼性評価技術
SiC/GaN パワー ハンドウタイ ノ ジッソウ ト シンライセイ ヒョウカ ギジュツ
菅沼克昭編著
東京 : 日刊工業新聞社 , 2014.12
247p ; 21cm
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所蔵一覧
巻号
予約人数
所在
請求記号
登録番号
資料ID
状態
貸出区分
備考
1
0
教員研究室
549.8
Si1
10399812
0499068
利用可
図書(禁帯出)
0
太秦南館:展示コーナー
549.8
Si1
10392568
08004021
利用可
図書(帯出可)
0
太秦南館:5階閲覧室
549.8
Si1
10392569
08004022
利用可
図書(帯出可)
0
太秦南館:5階閲覧室
549.8
Si1
10392570
08004023
利用可
図書(帯出可)
0
太秦南館:5階閲覧室
549.8
Si1
10392571
08004024
利用可
図書(禁帯出)
0
太秦南館:5階閲覧室
549.8
Si1
10392572
08004025
利用可
図書(帯出可)
0
太秦南館:5階閲覧室
549.8
Si1
10392573
08004026
利用可
図書(帯出可)
0
太秦南館:5階閲覧室
549.8
Si1
10392574
08004027
利用可
図書(帯出可)
0
太秦南館:5階閲覧室
549.8
Si1
10392575
08004028
貸出中
(長期貸出中)
図書(帯出可)
0
太秦南館:5階閲覧室
549.8
Si1
10392576
08004029
利用可
図書(帯出可)
0
太秦南館:5階閲覧室
549.8
Si1
10392577
08004030
利用可
図書(帯出可)
選択行を:
書誌詳細
刊年
2014
形態
247p ; 21cm
別書名
power semiconductor devices
注記
参考文献: 各章末
出版国
日本
標題言語
日本語
本文言語
日本語
著者情報
菅沼, 克昭
(スガヌマ, カツアキ)
分類
NDC8:549.8
NDC9:549.8
ISBN
9784526073397
件名
BSH:半導体
BSH:パワーエレクトロニクス
BSH:信頼性(工学)
NCID
BB17632156
番号
OTHN : TRC:15000684
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